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絶縁型Cu-AlN-Cuサブマウント

概要

高出力LD モジュールヒートシンク用途のサブマウントです。Cu-AlN-Cuの3層構造により、高熱伝導率と絶縁性を両立しています。また、熱膨張率においても、Cuめっき部の厚みを最適値にコントロールすることにより、LD素子とのCTEマッチングが可能で高出力化、長寿命化を可能とします。なお、形状においても、クリティカルエッジ部に対してはプルバックがないため、 自由度の高い設計が可能です。

絶縁型Cu-AlN-Cuサブマウント

特長

特長

高熱拡散性と高熱伝導率を実現し、絶縁性を確保

  • CuとAlNの複合構成とし、高熱伝導率と絶縁性を両立

熱膨張係数(CTE)をコントロール

  • CuとAlNの厚みを最適値に設定し、LD素子とのCTEマッチングが可能

マルチエミッター用途に最適

LD搭載面クリティカルエッジ部のプルバックなし

  • Pサイドダウン型LDに最適

AuSn・AuGeはんだ蒸着対応が可能

シャープエッジによりLDのアライメント性を向上

  • エッジR 20μm以下
Cu層・AIN層厚のコントロールが可能

特性比較データ<参考値>

※横にスクロールしてご覧ください。

  単位 Cu-AlN-Cu AlN CuW(10/20)
材料特性 絶縁性 絶縁性 導電性
熱伝導率 W/m・K 190〜250※ 170 180/200
熱膨張率 ppm/℃ 6〜10※ 4.6 6.5/8.3
電気抵抗率 Ω・m - - 5.3/4.0 (×10-8)
最大使用電圧 V <200 <200 NA
比誘電率(@1MHz ) - 9 9 NA
誘電体損失( Tanδ ) - 5×10-4 5×10-4 NA

※設計によりコントロールが可能

市場・用途

産業用レーザー

  • 溶接、切断、マーキング、表面処理(アニール等)用レーザー機器など
  • 医療用レーザー機器(眼科治療、脱毛処理)、内視鏡など

半導体

  • パワー半導体、MPUなど

デジタル機器

  • レーザープリンター、デジタル複合機など

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